半導体デバイス検査用槽内冶具

温度範囲-40℃～200℃の半導体デバイス（MOS-FET、バイポーラ・トランジスタ)検査用冶具です。

長時間の苛酷な温湿度環境にも安定した計測データが得られます。

ワークの数量（チャンネル）はお客様のご要望で変更可能です。

スイッチ耐久性試験用槽内冶具

温度範囲-40℃～180℃の特殊スイッチ耐久性試験用冶具です。

スイッチの耐久性、経年変化評価用ですので、特殊な耐熱シールドケーブルを使用しております。

数ヶ月間の耐久試験にも安心してご使用頂けます。

ワークの数量（チャンネル）はお客様のご要望で変更可能です。

デバイス暗電流測定用槽内冶具

切替器分解能、0.1ｎAを実現した、暗電流測定用の冶具です。

ノイズ対策が万全でありませんと、微小電流測定精度の安定性が得られない為、測定系と共にあらゆるノイズ対策を施してあります。フォト・ダイオード等の暗電流測定に、安定した信頼性のあるデーターを得られます。各ユニット25ｃｈで、層内で４ユニット、計

100ｃｈの測定が可能です。

（大手電子計測器メーカー様ご採用品）

LED試験用槽内冶具

LED（発光ダイオード）寿命試験用槽内冶具です。

室温から80℃以上の温度寿命試験、LEDの電気特性試験にも

使用可能です。

ワークの数量（チャンネル）はお客様のご要望で変更可能です。